申请/专利权人:深圳市创飞芯源半导体有限公司
申请日:2023-12-19
公开(公告)日:2024-03-19
公开(公告)号:CN117727787A
主分类号:H01L29/78
分类号:H01L29/78;H01L29/423;H01L21/28;H01L21/336
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开
摘要:本申请提供一种屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及制备方法、电子设备及制备方法,所述屏蔽栅沟槽型MOSFET器件,包括:衬底、外延层、第一导体、栅极导体以及栅极金属层;其中,所述外延层位于所述衬底第一表面上,所述外延层中具有沟槽;所述第一导体与所述栅极导体位于所述沟槽中;所述栅极金属层通过接触孔分别与所述第一导体以及所述栅极导体电连接。
主权项:1.一种屏蔽栅沟槽型MOSFET器件,其特征在于,包括:衬底、外延层、第一导体、栅极导体以及栅极金属层;其中,所述外延层位于所述衬底第一表面上,所述外延层中具有沟槽;所述第一导体与所述栅极导体位于所述沟槽中;所述栅极金属层通过接触孔分别与所述第一导体以及所述栅极导体电连接。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 深圳市创飞芯源半导体有限公司 屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及制备方法、电子设备及制备方法
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