申请/专利权人：华海清科股份有限公司;华海清科(北京)科技有限公司

申请日：2024-02-07

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117718821A

主分类号：B24B7/22

分类号：B24B7/22;B24B41/06;B24B49/00;B24B29/02;H01L21/67

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本申请实施例涉及晶圆减薄技术领域，提供了一种晶圆磨削后处理系统、装置、方法及晶圆减薄设备，该晶圆磨削后处理系统包括承载台、移动机构、抛光垫、计算机存储介质；承载台，用于放置经过磨削处理且未经过抛光处理的晶圆；移动机构，用于带动抛光垫移动；抛光垫，用于去除晶圆的崩边；计算机存储介质用于存储计算机程序产品，该计算机程序产品在执行时用于控制承载台、移动机构执行如下方法：确定经过磨削处理且未经过抛光处理的晶圆被放置在承载台上；控制承载台带动晶圆绕晶圆的轴线方向旋转；控制移动机构带动抛光垫移动至与晶圆上存在崩边的晶边抵接，以去除晶圆的崩边。本申请的方案可以提高对晶圆进行加工时的加工质量。

主权项：1.一种晶圆磨削后处理系统，其特征在于，包括承载台、移动机构、抛光垫、计算机存储介质；所述承载台，用于放置经过磨削处理且未经过抛光处理的晶圆；所述移动机构，用于带动所述抛光垫移动；所述抛光垫，用于去除所述晶圆的崩边；所述计算机存储介质用于存储计算机程序产品，该计算机程序产品在执行时用于控制所述承载台、所述移动机构执行如下方法：确定经过磨削处理且未经过抛光处理的晶圆被放置在承载台上；控制所述承载台带动所述晶圆绕所述晶圆的轴线方向旋转；控制移动机构带动抛光垫移动至与所述晶圆上存在崩边的晶边抵接，以去除所述晶圆的崩边；其中，晶圆晶边的去除率为MRR＝kpv*cosθ，其中，k为Preston系数，p为抛光垫施加在晶边的压力，v为抛光垫与晶边的接触位置处晶圆与抛光垫的相对速度，θ为抛光垫与晶片表面之间的夹角。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华海清科股份有限公司;华海清科(北京)科技有限公司 晶圆磨削后处理系统、装置、方法及晶圆减薄设备

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