申请/专利权人：华灿光电(苏州)有限公司

申请日：2023-11-06

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727846A

主分类号：H01L33/14

分类号：H01L33/14;H01L33/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本公开提供了一种发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。该芯片包括：外延层和电流扩展层。所述外延层包括依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层。所述电流扩展层包括依次层叠在所述第二半导体层上的第一透明导电层、第二透明导电层和第三透明导电层，所述第一透明导电层的电阻率低于所述第三透明导电层的电阻率，所述第一透明导电层的透光率低于所述第三透明导电层的透光率，所述第二透明导电层为应力过渡层。本公开能提高发光二极管芯片的发光效率和可靠性。

主权项：1.一种发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片包括：外延层，所述外延层包括依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；电流扩展层，所述电流扩展层包括依次层叠在所述第二半导体层上的第一透明导电层、第二透明导电层和第三透明导电层，所述第一透明导电层的电阻率低于所述第三透明导电层的电阻率，所述第一透明导电层的透光率低于所述第三透明导电层的透光率，所述第二透明导电层为应力过渡层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华灿光电(苏州)有限公司 发光二极管芯片及其制作方法

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