申请/专利权人：苏州华太电子技术股份有限公司

申请日：2023-12-14

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727786A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/45;H01L29/417;H01L21/336

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本申请涉及一种半导体器件及半导体器件制备方法，半导体器件，包括：衬底，具有第一表面；外延层，设于衬底背离第一表面的一侧；氧化层，设于外延层背离衬底一侧，氧化层具有背离衬底的第二表面；第一沟槽，开设于氧化层的第二表面，沿垂直于衬底所在平面的方向上，第一沟槽由氧化层延伸至外延层；第二沟槽，开设于衬底的第一表面，沿垂直于衬底所在平面的方向上，第二沟槽由衬底延伸至外延层，并和第一沟槽连通，第二沟槽在衬底上的正投影面积大于第一沟槽在衬底上的正投影面积。本实施例通过将正面刻蚀和背面刻蚀工艺结合，既可以降低源极接触区的寄生电阻，又可降低工艺难度。

主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底，具有第一表面；外延层，设于所述衬底背离所述第一表面的一侧；氧化层，设于所述外延层背离所述衬底一侧，所述氧化层具有背离所述衬底的第二表面；第一沟槽，开设于所述氧化层的第二表面，沿垂直于所述衬底所在平面的方向上，所述第一沟槽由所述氧化层延伸至所述外延层；第二沟槽，开设于所述衬底的第一表面，沿垂直于所述衬底所在平面的方向上，所述第二沟槽由所述衬底延伸至所述外延层，并和所述第一沟槽连通。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州华太电子技术股份有限公司 半导体器件及半导体器件制备方法

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