申请/专利权人：环球晶圆股份有限公司

申请日：2022-06-14

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117730172A

主分类号：C30B15/20

分类号：C30B15/20;G01N21/21;C30B29/06

优先权：["20210622 US 63/213,457"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：公开用于确定硅衬底的外延适合性及或用于确定外延及外延后热处理期间的防滑性的方法。所述方法涉及通过红外去极化使外延晶片成像来评估所述晶片的不同衬底。针对每一外延晶片产生红外去极化参数。所述参数可经比较以确定哪些衬底非常适合于外延及或外延后热处理。

主权项：1.一种用于确定硅衬底的外延适合性的方法，所述方法包括：将第一硅衬底装载到安置于处理反应器内的基座上；使所述第一硅衬底的前表面与含硅气体接触，所述含硅气体分解以在所述第一硅衬底上形成外延硅层以形成第一外延晶片；通过红外去极化使所述第一外延晶片成像以确定第一红外去极化参数；将第二硅衬底装载到安置于所述处理反应器内的所述基座上，所述第二硅衬底具有不同于所述第一硅衬底的成分；使所述第二硅衬底的前表面与含硅气体接触，所述含硅气体分解以在所述第二硅衬底上形成外延硅层以形成第二外延晶片；通过红外去极化使所述第二外延晶片成像以确定第二红外去极化参数；及基于所述第一及第二红外去极化参数来确定所述第一及第二衬底的外延适合性。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 环球晶圆股份有限公司 确定硅衬底的外延适合性的方法

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