申请/专利权人：爱思开海力士有限公司

申请日：2019-12-06

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN112185979B

主分类号：H10B43/35

分类号：H10B43/35;H10B43/27

优先权：["20190703 KR 10-2019-0080101"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2021.01.22#实质审查的生效;2021.01.05#公开

摘要：根据本技术的半导体存储器装置包括：层叠体，其包括在第一方向上彼此隔开层叠的下导电图案和上导电图案以及设置在下导电图案和上导电图案之间的至少一个中间导电图案；接触插塞，其连接到下导电图案并且在第一方向上延伸；以及至少一个下虚设插塞，其与下导电图案交叠。

主权项：1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：层叠体，该层叠体包括在第一方向上彼此隔开层叠的下导电图案和上导电图案以及设置在所述下导电图案和所述上导电图案之间的至少一个中间导电图案；第一接触插塞，该第一接触插塞连接到所述下导电图案并且在所述第一方向上延伸；第二接触插塞，该第二接触插塞连接到所述上导电图案并且在所述第一方向上延伸；至少一个下虚设插塞，所述至少一个下虚设插塞在所述第一方向上与所述下导电图案交叠并且在所述第一方向上延伸；以及至少一个上虚设插塞，所述至少一个上虚设插塞与所述上导电图案交叠并且在所述第一方向上延伸，其中，所述第一接触插塞和所述第二接触插塞设置在所述上虚设插塞与所述下虚设插塞之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 爱思开海力士有限公司 半导体存储器装置

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