申请/专利权人：株式会社迪思科

申请日：2019-11-20

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN111261580B

主分类号：H01L21/768

分类号：H01L21/768

优先权：["20181203 JP 2018-226356"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2021.11.19#实质审查的生效;2020.06.09#公开

摘要：提供晶片的加工方法，使对晶片进行加工而制造器件芯片的工序简化。晶片的加工方法对晶片进行加工，该晶片埋设有贯通电极，形成有覆盖贯通电极的第1绝缘膜，其中，晶片的加工方法具有如下步骤：磨削步骤，按照覆盖贯通电极的第1绝缘膜不在背面侧露出的程度从背面侧磨削晶片；电极突出步骤，对晶片的背面进行蚀刻而使被第1绝缘膜覆盖的贯通电极在背面侧突出；应变层形成步骤，对贯通电极已突出的该晶片的背面提供等离子化的惰性气体，在晶片的背面上形成应变层；绝缘膜形成步骤，在晶片的背面上形成第2绝缘膜；和电极形成步骤，在与贯通电极重叠的区域中，将第1绝缘膜和第2绝缘膜去除，形成与在晶片的背面侧露出的贯通电极连接的背面侧电极。

主权项：1.一种晶片的加工方法，对如下的晶片进行加工，该晶片在正面上设定有交叉的多条分割预定线，在由该分割预定线划分的各区域内形成有器件，在该各区域内埋设有沿着厚度方向的贯通电极，该晶片形成有覆盖该贯通电极的第1绝缘膜，其特征在于，该晶片的加工方法具有如下的步骤：保护部件配设步骤，在该晶片的该正面上配设保护部件；磨削步骤，利用卡盘工作台对该晶片的该保护部件侧进行保持，按照覆盖该贯通电极的该第1绝缘膜不在背面侧露出的程度从该背面侧对该晶片进行磨削；电极突出步骤，在实施了磨削步骤之后，将该晶片收纳于第1真空腔室中，对该晶片的背面提供等离子化的第1蚀刻气体，对该晶片的该背面进行蚀刻，从而使被该第1绝缘膜覆盖的该贯通电极在该背面侧突出；应变层形成步骤，在该电极突出步骤之后，对该贯通电极已突出的该晶片的该背面提供等离子化的惰性气体，在该晶片的该背面上形成应变层；绝缘膜形成步骤，在该应变层形成步骤之后，在形成有该应变层的该晶片的该背面上形成第2绝缘膜；以及电极形成步骤，在该绝缘膜形成步骤之后，在与该贯通电极重叠的区域中，将该第1绝缘膜和该第2绝缘膜去除，形成与在该晶片的该背面侧露出的该贯通电极连接的背面侧电极，该晶片的加工方法还具有如下的氧化膜去除步骤：在该电极突出步骤之后且在该应变层形成步骤之前，将该晶片收纳于第2真空腔室，对该晶片的该背面提供等离子化的第2蚀刻气体，将该晶片的该背面上所形成的自然氧化膜去除。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社迪思科 晶片的加工方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD