申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请日：2020-08-31

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN111883528B

主分类号：H01L27/02

分类号：H01L27/02;H01L27/12;H01L29/78

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2020.11.20#实质审查的生效;2020.11.03#公开

摘要：本发明公开了一种静电保护GGNMOS结构，适用于SOI工艺的插指状GGNMOS；在衬底的上层中，通过STI工艺定义出有源区，在有源区中形成多个P阱，所述的多个P阱之间互相间隔；所述P阱与外围的STI之间具有重掺杂N型注入区；所述P阱与P阱之间间隔有重掺杂N型注入区；所述重掺杂N型注入区与P阱均横向接触；在中心区域的P阱之间为重掺杂P型注入区，所述重掺杂P型注入区与其两侧的P阱横向接触。本发明通过中心区域的P阱及重掺杂P型注入区，使得每一插指都形成一个由SB到漏端的体二极管，来增强GGNMOS的体二极管方向的ESD能力。

主权项：1.一种静电保护GGNMOS结构，适用于SOI工艺，其特征在于：所述MOS结构为插指状GGNMOS；提供一P型衬底，在所述P型衬底中通过SOI工艺形成埋氧化层；在所述衬底的上层中，通过STI工艺定义出有源区，在有源区中形成多个P阱，所述的多个P阱之间互相间隔；所述P阱与外围的STI之间具有重掺杂N型注入区；所述P阱与P阱之间间隔有重掺杂N型注入区；所述重掺杂N型注入区与P阱均横向接触；在中心区域的P阱之间为重掺杂P型注入区，所述重掺杂P型注入区与其两侧的P阱横向接触；位于中心区域的P阱及P阱之间的重掺杂P型注入区一起进行侧面引出并接地。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 静电保护GGNMOS结构

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD