申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

申请日：2019-10-21

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN112768407B

主分类号：H01L21/8234

分类号：H01L21/8234;H01L27/088

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2021.05.25#实质审查的生效;2021.05.07#公开

摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成栅极结构；在所述栅极结构两侧的所述基底中形成沟槽；在所述沟槽的底面和侧壁上形成阻挡层，所述阻挡层中掺杂有第一型离子；形成所述阻挡层后，在所述沟槽中形成源漏掺杂层，所述源漏掺杂层中掺杂有第二型离子，所述第一型离子与所述第二型离子的导电类型不同。所述阻挡层中的第一型离子与源漏掺杂层中的第二型离子的导电类型不同，使得源漏掺杂层中的第二型离子不易穿过所述阻挡层扩散到沟道区中，因此，在半导体结构工作时，源漏掺杂层的耗尽层不易扩展，从而使得栅极结构两侧的所述源漏掺杂层之间不易发生穿通，进而有利于提高半导体结构的电学性能。

主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成栅极结构；在所述栅极结构两侧的所述基底中形成沟槽；在所述沟槽的底面和侧壁上形成阻挡层，所述阻挡层中掺杂有第一型离子；形成所述沟槽后，形成所述阻挡层前，还包括：在所述沟槽的底面和侧壁上形成种子层，所述种子层中掺杂有第二型离子；所述种子层中第二型离子的掺杂剂量为所述阻挡层中第一型离子掺杂剂量的0.8倍至1.2倍；形成所述阻挡层后，在所述沟槽中形成源漏掺杂层，所述源漏掺杂层中掺杂有第二型离子，所述第一型离子与所述第二型离子的导电类型不同。

全文数据：

权利要求：

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