申请/专利权人：株式会社迪思科

申请日：2023-09-19

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747546A

主分类号：H01L21/78

分类号：H01L21/78

优先权：["20220921 JP 2022-150230"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.22#公开

摘要：本发明提供晶片的加工方法，不会产生因激光光线的照射而使器件芯片的品质降低这样的问题。晶片的加工方法包含如下的工序：水溶性树脂包覆工序，在晶片的正面包覆水溶性树脂；改质层形成工序，从晶片的背面将对于晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于与分割预定线对应的晶片的内部而进行照射，形成沿着分割预定线的改质层；树脂去除工序，将水溶性树脂从晶片的正面去除；以及分割工序，对晶片赋予外力而将晶片分割成各个器件芯片。

主权项：1.一种晶片的加工方法，该晶片由交叉的多条分割预定线划分而在正面形成有多个器件，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：保护带配设工序，在该晶片的正面配设保护带；保持工序，将该保护带侧保持于卡盘工作台；磨削工序，对该晶片的背面进行磨削而进行薄化；保护带剥离工序，从该晶片的该正面剥离该保护带；水溶性树脂包覆工序，在该晶片的该正面包覆水溶性树脂；改质层形成工序，从该晶片的该背面将对于该晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于与该分割预定线对应的该晶片的内部而进行照射，形成沿着该分割预定线的改质层；框架支承工序，在该晶片的该背面粘贴切割带，并且粘贴于在中央具有收纳该晶片的开口的环状框架而隔着该切割带利用环状框架对该晶片进行支承；树脂去除工序，将该水溶性树脂从该晶片的该正面去除；分割工序，对该晶片赋予外力而将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，从该切割带拾取该器件芯片。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社迪思科 晶片的加工方法

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