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【发明公布】衬底处理装置、衬底处理方法、半导体器件的制造方法及记录介质_株式会社国际电气_202311071665.7 

申请/专利权人:株式会社国际电气

申请日:2023-08-24

公开(公告)日:2024-03-22

公开(公告)号:CN117747476A

主分类号:H01L21/67

分类号:H01L21/67;H01L21/677

优先权:["20220922 JP 2022-150788"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要:本发明提供一种能够减少真空泵的耗电量的衬底处理装置、衬底处理方法、半导体器件的制造方法及记录介质。具备:处理衬底的处理室;将多个排气装置相对于上述处理室并联连接的气体流路;控制上述气体流路中的气体的流通的排气控制部;控制上述排气装置的输出的输出控制部;以及构成为能够控制上述排气控制部和上述输出控制部的控制部。

主权项:1.一种衬底处理装置,具备:处理衬底的处理室;将多个排气装置相对于所述处理室并联连接的气体流路;控制所述气体流路中的气体的流通的排气控制部;控制所述排气装置的输出的输出控制部;以及构成为能够控制所述排气控制部和所述输出控制部的控制部。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 株式会社国际电气 衬底处理装置、衬底处理方法、半导体器件的制造方法及记录介质

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