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【发明公布】图案形成方法、半导体装置的制造方法及压印装置_铠侠股份有限公司_202310958488.8 

申请/专利权人:铠侠股份有限公司

申请日:2023-07-31

公开(公告)日:2024-03-22

公开(公告)号:CN117742070A

主分类号:G03F7/00

分类号:G03F7/00;G03F9/00

优先权:["20220920 JP 2022-149227"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要:本发明涉及一种图案形成方法、半导体装置的制造方法、及压印装置。实施方式的图案形成方法是将具有多个拍摄区域的衬底保持于具有吸附衬底的外缘部的第1吸附区域、与吸附外缘部的内侧区域的第2吸附区域的吸附卡盘上,多个拍摄区域遍及外缘部与内侧区域配置,在内侧区域具有第1对准标记,在外缘部具有第2对准标记,在外缘部侧包含一部分缺失的第1拍摄区域,在将模板压抵于树脂膜的状态下,进行第1及第3对准标记的对位,同时经由模板观测第2及第4对准标记且调整第1吸附区域中的吸附力使外缘部的翘曲量变化,进行第2及第4对准标记的对位。

主权项:1.一种图案形成方法,其是将具有多个拍摄区域的衬底保持于具有吸附所述衬底的外缘部的第1吸附区域、与吸附所述外缘部的内侧区域的第2吸附区域的吸附卡盘上,在所述多个拍摄区域中的至少1个拍摄区域上形成树脂膜,对所述1个拍摄区域上的所述树脂膜压抵模板的图案,将所述图案转印于所述树脂膜的图案形成方法,且所述多个拍摄区域遍及所述外缘部与所述内侧区域配置,在所述内侧区域具有第1对准标记,在所述外缘部具有第2对准标记,在所述外缘部侧包含一部分缺失的第1拍摄区域;所述模板具有:第3对准标记,用于与所述第1对准标记的对位;及第4对准标记,用于与所述第2对准标记的对位;且在将所述图案转印于所述第1拍摄区域上的所述树脂膜时,在将所述模板压抵于所述树脂膜的状态下,进行所述第1及第3对准标记的对位,同时经由所述模板观测所述第2及第4对准标记且调整所述第1吸附区域中的吸附力使所述外缘部的翘曲量变化,进行所述第2及第4对准标记的对位。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 铠侠股份有限公司 图案形成方法、半导体装置的制造方法及压印装置

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