申请/专利权人：北极星特许集团有限责任公司

申请日：2020-03-26

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN111799268B

主分类号：H10B41/10

分类号：H10B41/10;H10B41/27;H10B41/35;H10B43/10;H10B43/27;H10B43/35

优先权：["20190403 US 16/374,527"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2023.09.15#专利申请权的转移;2020.11.06#实质审查的生效;2020.10.20#公开

摘要：本申请案涉及存储器阵列及形成集成组合件的方法。一些实施例包含一种具有交替绝缘层与字线层的垂直堆叠的存储器阵列。所述字线层具有控制栅极区内的导电端子端。所述控制栅极区通过包含第一绝缘材料的第一绝缘区彼此垂直间隔。电荷存储材料从所述导电端子端横向向外，且经配置为片段。所述电荷存储材料的所述片段经布置在彼此顶部上且通过包含第二绝缘材料的第二绝缘区彼此垂直间隔。所述第二绝缘材料具有与所述第一绝缘材料不同的介电常数。电荷穿隧材料沿所述堆叠垂直延伸，且邻近电荷俘获材料的所述片段。通道材料沿所述堆叠垂直延伸，且邻近所述电荷穿隧材料。一些实施例包含形成集成组合件的方法。

主权项：1.一种存储器阵列，其包括：交替绝缘层与字线层的垂直堆叠；所述字线层包括具有第一端子端的导电字线材料；所述导电字线材料经配置以包含沿所述字线层的导电字线；所述导电字线通过所述绝缘层的中介区彼此垂直间隔；所述绝缘层具有第二端子端；所述第一端子端相对于所述第二端子端横向嵌入使得间隙沿所述第一端子端且垂直地位于所述第二端子端之间；所述绝缘层包括所述第二端子端内的第一绝缘材料，且包括接近所述第二端子端且在所述中介区内的第二绝缘材料；所述第一绝缘材料具有与所述第二绝缘材料不同的介电常数；电荷阻挡材料，其沿所述堆叠垂直延伸；所述电荷阻挡材料邻近所述第一及第二端子端，且给所述间隙加衬层；所述经加衬层间隙内的电荷存储材料；所述电荷存储材料经配置为第一片段，所述第一片段被布置于彼此顶部上的且通过包括所述第二端子端内的所述第一绝缘材料的中介第二片段彼此垂直间隔；电荷穿隧材料，其邻近所述电荷存储材料；及通道材料，其沿所述堆叠垂直延伸且邻近所述电荷穿隧材料。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北极星特许集团有限责任公司 存储器阵列及形成集成组合件的方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD