申请/专利权人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日:2020-07-31
公开(公告)日:2024-03-22
公开(公告)号:CN114063322B
主分类号:G02F1/025
分类号:G02F1/025
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2024.03.22#授权;2022.03.08#实质审查的生效;2022.02.18#公开
摘要:一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供基底,基底包括第一介质层以及分立于第一介质层上的第一金属层和第二金属层;在第一金属层和第二金属层之间的第一介质层上形成调节层;形成覆盖第一金属层、第二金属层以及调节层的第二介质层。调节层上的第二介质层的厚度与第一金属层上的第二介质层的厚度相差较小,调节层上的第二介质层的厚度与第二金属层上的第二介质层的厚度相差较小,相应的,刻蚀第二介质层,形成露出第一金属层、第二金属层以及调节层的开口的过程中,第一金属层和第二金属层上的开口先形成,调节层上的开口后形成,调节层受损伤较小,调节层的形成质量较高,有利于提高半导体结构的电学性能。
主权项:1.一种半导体结构的形成方法,其特征在于,包括:提供基底,所述基底包括第一掺杂层,所述基底包括第二掺杂层,所述基底包括位于所述第一掺杂层和第二掺杂层上的第一介质层以及分立于所述第一介质层上的第一金属层和第二金属层;在所述第一金属层和第二金属层之间的所述第一介质层上形成调节层,所述调节层用于使所述第一掺杂层和第二掺杂层的温度发生改变;形成覆盖所述第一金属层、第二金属层以及调节层的第二介质层;刻蚀所述第二介质层,形成露出所述第一金属层、第二金属层以及调节层的开口。
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百度查询: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 半导体结构及其形成方法
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