申请/专利权人：苏州固锝电子股份有限公司

申请日：2020-11-24

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN114551367B

主分类号：H01L23/31

分类号：H01L23/31;H01L25/00;H01L23/48

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2022.06.14#实质审查的生效;2022.05.27#公开

摘要：本发明公开一种并联结构的半导体器件，包括由环氧封装体包覆的芯片基板、第一芯片组和第二芯片组，所述第一芯片组、第二芯片组叠置于芯片基板上，所述第二芯片组的下层电极与芯片基板之间通过一金属块电连接，使得第一芯片组、第二芯片组位于环氧封装体厚度方向上的中部；所述第一芯片组的下层电极与第二连接片的上表面之间通过一焊锡层连接，所述第一连接片包括与第一芯片组连接的上搭接端部、与芯片基板连接的下搭接端部和用于连接上搭接端部与下搭接端部的折弯部。本发明充分利用三维空间、增加产品的厚度，实现对大功率芯片的封装的同时，降低芯片的结构应力以及在热应力下发生损伤的风险。

主权项：1.一种并联结构的半导体器件，其特征在于：包括由环氧封装体（1）包覆的芯片基板（2）、第一芯片组（3）和第二芯片组（4），所述第一芯片组（3）、第二芯片组（4）叠置于芯片基板（2）上，所述第二芯片组（4）位于第一芯片组（3）下方且该第二芯片组（4）的下层电极与芯片基板（2）电连接；所述芯片基板（2）的一端自环氧封装体（1）内向外伸出作为第一端子（21），位于环氧封装体（1）内的该芯片基板（2）的另一端通过一第一连接片（5）与第一芯片组（3）的上层电极连接，所述第一连接片（5）远离第一芯片组（3）的一端向下折弯并与芯片基板（2）连接；一端位于所述第一芯片组（3）与第二芯片组（4）之间的第二连接片（6）的两个表面对应与第一芯片组（3）的下层电极、第二芯片组（4）的上层电极电连接，所述第二连接片（6）的另一端向下折弯并与一基板（7）连接，此基板（7）远离第二连接片（6）的一端自环氧封装体（1）内向外伸出作为第二端子（71）；所述第二芯片组（4）的下层电极与芯片基板（2）之间通过一金属块（8）电连接，使得第一芯片组（3）、第二芯片组（4）位于环氧封装体（1）厚度方向上的中部；所述第一芯片组（3）的下层电极与第二连接片（6）的上表面之间通过一焊锡层（9）连接，所述第二连接片（6）的上表面上并位于焊锡层（9）的外侧开有一条形沟槽（10）；所述第一连接片（5）包括与第一芯片组（3）连接的上搭接端部（51）、与芯片基板（2）连接的下搭接端部（52）和用于连接上搭接端部（51）与下搭接端部（52）的折弯部（53），所述芯片基板（2）与第一连接片（5）连接的一端具有一向上的倾斜折弯部（22）和用于与第一连接片（5）的下搭接端部（52）连接的水平搭接部（23）。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州固锝电子股份有限公司 并联结构的半导体器件

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