申请/专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院;西安电子科技大学

申请日：2024-01-19

公开（公告）日：2024-03-26

公开（公告）号：CN117766567A

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/861;H01L21/329

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.12#实质审查的生效;2024.03.26#公开

摘要：本发明涉及一种可控型二极管雪崩整型器及其制备方法，雪崩整型器包括：衬底层、N‑外延层、P+外延层、N+区、阴极、第一阳极、第二阳极和氧化层，其中，N+区由P+外延层的部分上表面延伸至P+外延层的内部；第一阳极位于P+外延层上；第二阳极位于N+区上；氧化层位于P+外延层和N+区交界处的上表面，且两端分别与第一阳极、第二阳极接触。通过第二阳极在N+区施加电压，大量电子在衬底层和N+区电势差的作用下，进入P+外延层和N‑外延层之间的P+N‑结或耗尽层中，为器件发生延迟雪崩提供初始载流子，使得器件发生延迟雪崩，实现器件的可控效果，拓宽了器件的应用场景，提高了器件的性能发挥程度。

主权项：1.一种可控型二极管雪崩整型器，其特征在于，包括：衬底层、N-外延层、P+外延层、N+区、阴极、第一阳极、第二阳极和氧化层，其中，所述N-外延层位于所述衬底层上；所述P+外延层位于所述N-外延层上；所述N+区由所述P+外延层的部分上表面延伸至所述P+外延层的内部；所述阴极位于所述衬底层的下表面；所述第一阳极位于所述P+外延层上；所述第二阳极位于所述N+区上；所述氧化层位于所述P+外延层和所述N+区交界处的上表面，且两端分别与所述第一阳极、所述第二阳极接触。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安电子科技大学芜湖研究院;西安电子科技大学 一种可控型二极管雪崩整型器及其制备方法

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