申请/专利权人：半导体元件工业有限责任公司

申请日：2019-07-25

公开（公告）日：2024-03-26

公开（公告）号：CN110858612B

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L21/762

优先权：["20180824 US 16/111,931"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.26#授权;2021.09.14#实质审查的生效;2020.03.03#公开

摘要：本发明题为“具有优化的漏极终止的半导体器件及其方法”。所公开的实施方案的系统和方法包括一种半导体器件结构，该半导体器件结构具有半导体基板。半导体基板具有第一主表面、相对的第二主表面、第一导电类型的第一掺杂区，该第一掺杂区设置在第一主表面下方、和第一导电类型的半导体区，该半导体区设置在第一掺杂区与第二主表面之间。半导体器件还可以包括沟槽隔离结构，该沟槽隔离结构包括由绝缘沟槽衬垫包围的导电沟槽填充物。沟槽隔离结构从第一主表面延伸穿过第一掺杂区并延伸到半导体区中。半导体器件还可以包括设置有漏极结构的半导体器件，以及连接结构，该连接结构形成在沟槽隔离结构的导电沟槽填充物与漏极区之间。

主权项：1.一种半导体器件，包括：半导体基板，所述半导体基板包括：第一主表面；相对的第二主表面；第一导电类型的第一掺杂区，所述第一掺杂区设置在所述第一主表面下方；和所述第一导电类型的半导体区，所述半导体区设置在所述第一掺杂区与所述相对的第二主表面之间；深沟槽隔离结构，所述沟槽隔离结构包括导电沟槽填充物，所述导电沟槽填充物在侧表面和底表面被绝缘沟槽衬垫完全包围，并且所述沟槽隔离结构从所述第一主表面延伸穿过所述第一掺杂区并延伸到所述半导体区中，其中所述深沟槽隔离结构被配置用于横向地物理和电隔离所述半导体器件的有源区；半导体器件结构，所述半导体器件结构设置有所述第一掺杂区，其中所述半导体器件结构包括漏极区，所述漏极区包括漏极结构；和连接结构，所述连接结构将所述沟槽隔离结构的所述导电沟槽填充物与所述漏极区电耦合，所述半导体基板包括第二导电类型的浮动掩埋掺杂区，所述浮动掩埋掺杂区邻接所述沟槽隔离结构。

全文数据：

权利要求：

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