申请/专利权人：浙江奥首材料科技有限公司

申请日：2023-11-28

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117778118A

主分类号：C11D7/32

分类号：C11D7/32;H01L21/02;G03F7/004;C11D7/16;C11D7/26;C11D7/08;C11D7/28;C11D7/34;C11D7/60;B08B3/08;B08B11/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：本发明提供一种低刻蚀半导体芯片清洗液、其制备方法及用途。本发明低刻蚀半导体芯片清洗液包括质量配比如下的各组分：六氟磷酸盐衍生物1‑10份；有机碱5‑30份；pH调节剂0.5‑8份；有机溶剂5‑40份；超纯水40‑90份；所述低刻蚀半导体芯片清洗液中不含有氢氟酸和氟化氢铵。本发明还公开了低刻蚀半导体芯片清洗液的制备方法及用途。本发明低刻蚀半导体芯片清洗液不含氢氟酸和氟化氢铵，能用于去除半导体制造工艺中等离子体刻蚀后的残留物，在高效去除残留物的同时，对介电材料及金属的损伤极低，有效防止了因湿法清洗而造成的特征尺寸飘移。

主权项：1.一种低刻蚀半导体芯片清洗液，其特征在于，包括质量配比如下的各组分： 所述低刻蚀半导体芯片清洗液中不含有氢氟酸和氟化氢铵。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江奥首材料科技有限公司 一种低刻蚀半导体芯片清洗液、其制备方法及用途

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