申请/专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所

申请日：2023-12-28

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117790413A

主分类号：H01L21/768

分类号：H01L21/768;H01L23/48;H01L23/552

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：本发明公开了一种Si基高频低损耗基片集成波导封装系统，包括Si基封帽以及Si基基板；其中Si基封帽以及Si基基板键合连接，Si基封帽由一定厚度的Si晶元制成，其内壁金属化，底部设置键合区，用于Si基基板键合。Si基基板通过三维堆叠可实现射频信号由金属上表层传入，在SIW传输结构的过度区时，信号在其内部传输，而非金属表层传输；再转换到金属上表层传输在基片集成波导传输结构上，通过金丝键合的方式信号传至芯片上，最后仍然通过相同的方式传出，具有低损耗、具有可以大规模自动化装配的优点，并且在生产上具有低成本，高一致性的优点。

主权项：1.一种Si基高频低损耗基片集成波导封装系统，其特征在于，包括Si基封帽以及Si基基板；所述Si基封帽以及Si基基板键合连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种Si基高频低损耗基片集成波导封装系统

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