申请/专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司

申请日：2023-12-27

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117790308A

主分类号：H01L21/335

分类号：H01L21/335;H01L29/778;H01L29/06;H01L29/205

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：本发明公开了一种蓝宝石衬底GaN基HEMT器件外延片的其制备方法，包括以下步骤：提供蓝宝石衬底；在所述蓝宝石衬底上依次生长AlGaN层、GaN层、非掺杂GaN层、U‑GaN层和AlGaN异质结层；所述AlGaN层的生长温度为100℃～600℃，生长压力为200Torr～600Torr，VⅢ比为30～900；所述GaN层的生长温度为100℃～600℃，生长压力为200Torr～600Torr，VⅢ比为30～900。本发明可提升蓝宝石衬底GaN基HEMT器件的耐压能力和降低漏电。

主权项：1.一种蓝宝石衬底GaN基HEMT器件外延片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供蓝宝石衬底；在所述蓝宝石衬底上依次生长AlGaN层、GaN层、非掺杂GaN层、U-GaN层和AlGaN异质结层；所述AlGaN层的生长温度为100℃～600℃，生长压力为200Torr～600Torr，VⅢ比为30～900；所述GaN层的生长温度为100℃～600℃，生长压力为200Torr～600Torr，VⅢ比为30～900。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 佛山市国星半导体技术有限公司 蓝宝石衬底GaN基HEMT器件外延片及其制备方法、HEMT器件

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD