申请/专利权人：无锡松煜科技有限公司

申请日：2023-12-28

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117476817B

主分类号：H01L31/18

分类号：H01L31/18;H01L31/0216;C23C16/40;C23C16/455;C23C16/56

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.29#授权;2024.02.20#实质审查的生效;2024.01.30#公开

摘要：发明涉及太阳能电池领域，尤其涉及具有低电子‑空穴复合率的叠层钝化结构的制备方法，所述方法包括在硅衬底表面通过原子层沉积得到掺杂有硼原子的二氧化硅钝化层，随后再在掺杂有硼原子的二氧化硅钝化层表面通过原子层沉积得到氧化铝钝化层，最后对得到的掺杂有硼原子的二氧化硅钝化层以及氧化铝钝化层进行退火处理，得到所述具有低电子‑空穴复合率的叠层钝化结构。本发明通过在硅衬底表面形成掺杂有硼原子的二氧化硅钝化层和氧化铝钝化层的叠层结构，可以有效降低电子‑空穴复合的概率，从而有助于优化光照吸收和光电子传输，提高光电池的效率和稳定性。

主权项：1.具有低电子-空穴复合率的叠层钝化结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤（S.1）：提供一个硅衬底，并将该硅衬底置于原子层沉积反应仓；步骤（S.2）：以脉冲通入的方式依次向原子层沉积反应仓内引入薄膜前驱体以及氧源，并在薄膜前驱体以及氧源的通入间隙使用吹扫气进行吹扫，所述薄膜前驱体包括硅源前驱体以及硼源前驱体，重复该步骤从而在硅衬底表面通过原子层沉积得到掺杂有硼原子的二氧化硅钝化层；步骤（S.3）：以脉冲通入的方式依次向原子层沉积反应仓内引入铝源前驱体以及氧源，并在铝源以及氧源的通入间隙使用吹扫气进行吹扫，重复该步骤从而在掺杂有硼原子的二氧化硅钝化层表面通过原子层沉积得到氧化铝钝化层；步骤（S.4）：对得到的掺杂有硼原子的二氧化硅钝化层以及氧化铝钝化层进行退火处理，得到所述具有低电子-空穴复合效应的叠层钝化结构；其中，所述步骤（S.2）中获得的掺杂有硼原子的二氧化硅钝化层其内部硼原子浓度不高于硅原子浓度的13；所述步骤（S.2）中原子层沉积温度高于步骤（S.3）中原子层沉积温度50-100℃；所述步骤（S.2）中沉积温度为280~350℃；所述步骤（S.3）中沉积温度为180~250℃。

全文数据：

权利要求：

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