申请/专利权人：上海华力微电子有限公司

申请日：2020-08-28

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN111929982B

主分类号：G03F1/72

分类号：G03F1/72;G03F7/20

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.29#授权;2020.12.01#实质审查的生效;2020.11.13#公开

摘要：本发明提供了一种金属层光刻工艺热点的修复方法，包括以下步骤：S1：提供用于形成金属层的掩膜版图形，掩膜版图形中具有若干工艺热点区域，所述工艺热点区域包括对应金属线的第一区域及对应接触孔的第二区域；执行步骤S2，S2：获取所述第一区域的边缘线中与第二区域之间的距离小于第一设定值的部分作为扩展线段；执行步骤S3，S3：将所述扩展线段向外移动第二设定值以扩大所述第一区域，并更新所述掩膜版图形；S4：对更新后的掩膜版图形进行仿真；S5：当仿真失败时，则返回步骤S3，当仿真通过或仿真的次数达到第三设定值时，输出最新的所述掩膜版图形。本发明的金属层光刻工艺热点的修复方法可以提升金属层光刻工艺热点的修复效率。

主权项：1.一种金属层光刻工艺热点的修复方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：提供用于形成金属层的掩膜版图形，所述掩膜版图形中具有若干工艺热点区域，所述工艺热点区域包括对应金属线的第一区域及对应接触孔的第二区域；执行步骤S2，S2：获取所述第一区域的边缘线中与所述第二区域之间的距离小于第一设定值的部分作为扩展线段，所述第一设定值为所述接触孔的孔径；执行步骤S3，S3：将所述扩展线段向外移动第二设定值以扩大所述第一区域，并更新所述掩膜版图形；S4：对更新后的所述掩膜版图形进行热点仿真；S5：当热点仿真失败时，则返回步骤S3，当仿真通过或仿真的次数达到第三设定值时，输出最新的所述掩膜版图形；在步骤S2中，获取所述扩展线段的步骤包括：构建与所述第二区域同心的第一标记区域，所述第二区域的边缘线与所述第一标记区域的边缘线之间的距离为第一设定值；获取位于所述第一标记区域中且与所述第一标记区域的任意边缘线平行的所述第一区域的边缘线的部分作为所述扩展线段；以及，在对所述掩膜版图形进行热点仿真时忽略所述第一标记区域。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华力微电子有限公司 金属层光刻工艺热点的修复方法

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