申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2022-09-23

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810205A

主分类号：H01L23/552

分类号：H01L23/552;H01L21/768;H01L23/498

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：在提供基底，所述基底包括正面和所述正面相对的背面，沿所述正面刻蚀所述基底，在所述基底中形成至少一个初始刻蚀孔，所述初始刻蚀孔具有第一深度；在所述初始刻蚀孔的四周侧壁表面上以及所述基底的正面上形成与地电连接的金属屏蔽层，继续刻蚀所述初始刻蚀孔至第二深度，形成刻蚀孔；在所述刻蚀孔表面形成电介质层；在形成所述电介质层后，在所述刻蚀孔中形成通孔互连结构。本申请节省空间的同时，达到较高的电磁屏蔽效果。

主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括正面和所述正面相对的背面；沿所述正面刻蚀所述基底，在所述基底中形成至少一个初始刻蚀孔，所述初始刻蚀孔具有第一深度；在所述初始刻蚀孔的四周侧壁表面上以及所述基底的正面上形成与地电连接的金属屏蔽层；继续刻蚀所述初始刻蚀孔至第二深度，形成刻蚀孔；在所述刻蚀孔表面形成电介质层；在形成所述电介质层后，在所述刻蚀孔中形成通孔互连结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构及其形成方法

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