申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

申请日：2022-09-23

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810082A

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L29/78

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的鳍部、覆盖所述鳍部的伪栅材料层；图形化所述伪栅材料层，形成多个并行的初始伪栅结构，其中，所述初始伪栅结构的底面低于所述鳍部的顶面；对所述初始伪栅结构进行原子层刻蚀处理，以去除所述初始伪栅结构与所述鳍部交叉区域冗余的伪栅材料层残留，形成目标伪栅结构。本发明通过原子层刻蚀处理，可以有效的去除在伪栅结构与鳍部的拐角处的伪栅材料，避免由于伪栅材料残留而形成三维边角，提升所制得的半导体结构的电学性能。

主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的鳍部、覆盖所述鳍部的伪栅材料层；图形化所述伪栅材料层，形成多个并行的初始伪栅结构，其中，所述初始伪栅结构的底面低于所述鳍部的顶面；对所述初始伪栅结构进行原子层刻蚀处理，以去除所述初始伪栅结构与所述鳍部交叉区域冗余的伪栅材料层残留，形成目标伪栅结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构及其形成方法

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