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【发明公布】一种轮换式交替访问3D NAND存储器可靠性并行测试方法_中国空间技术研究院_202311783925.3 

申请/专利权人:中国空间技术研究院

申请日:2023-12-22

公开(公告)日:2024-04-02

公开(公告)号:CN117809731A

主分类号:G11C29/56

分类号:G11C29/56;G06F13/16

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要:在实际开展存储器可靠性试验时,为了减少测试时间及成本,本发明提出一种基于高性能FPGA的3DNAND可靠性并行测试方法,利用FPGA并行处理能力,同时向多个3DNAND发送读、写等命令信号,并获取3DNAND在接收到读命令信号后产生的数据;同时内置轮换式交替访问算法,通过在控制程序中预先定义优先级,实现对指定的某一块或多块3DNAND存储器进行控制,以预置的轮询算法进行并行访问,可以对多块NANDFlash以不同的强度进行访问,进而可以在一次试验中,在较少的试验时间内,得出多种不同场景下的芯片特性,提高测试灵活性。本发明可实现并行处理多个3DNAND的可靠性测试,缩短测试时间,提高测试效率和灵活性。

主权项:1.一种轮换式交替访问3DNAND存储器可靠性并行测试方法,其特征在于,包括:利用并行处理FPGA向多个待测的3DNAND发送命令信号,获取所有待测的3DNAND在接收到读命令信号后产生的运行数据;按预设优先级,对所有待测的3DNAND的运行数据实施轮换式交替访问算法,实现对所有存储器的并行均匀访问,得出多种不同场景下的芯片功能和性能特性。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中国空间技术研究院 一种轮换式交替访问3D NAND存储器可靠性并行测试方法

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