申请/专利权人：中国科学院微电子研究所

申请日：2023-12-28

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810254A

主分类号：H01L29/51

分类号：H01L29/51;H01L21/28

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：衬底；位于所述衬底部分表面的栅极结构，所述栅极结构包括界面层、位于所述界面层上的超晶格栅介质结构、以及位于所述超晶格栅介质结构表面的栅极层，所述超晶格栅介质结构包括若干层叠的第一高K介质层和第二高K介质层，所述第一高K介质层位于相邻的两层所述第二高K介质层之间，且与所述第一高K介质层相邻的两层所述第二高K介质层的厚度不同，在以所述超晶格栅介质结构替代高K介质时，形成的MOS器件可以在降低漏电的同时，进一步降低EOT厚度。

主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底部分表面的栅极结构，所述栅极结构包括界面层、位于所述界面层上的超晶格栅介质结构、以及位于所述超晶格栅介质结构表面的栅极层，所述超晶格栅介质结构包括若干层叠的第一高K介质层和第二高K介质层，所述第一高K介质层位于相邻的两层所述第二高K介质层之间，且与所述第一高K介质层相邻的两层所述第二高K介质层的厚度不同。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院微电子研究所 半导体结构及其形成方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD