申请/专利权人：三菱电机株式会社

申请日：2019-05-29

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN113875018B

主分类号：H01L29/739

分类号：H01L29/739;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/78

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2022.01.21#实质审查的生效;2021.12.31#公开

摘要：提供用于抑制回跳现象并且抑制平坦化工序中的集电极层的去除的技术。本申请说明书公开的技术所涉及的半导体装置具备：漂移层的下表面的一部分中的第1导电类型的漏极层、漂移层的下表面的一部分中的多个第2导电类型的集电极层以及在漂移层的下表面的一部分被多个集电极层夹着的第1导电类型的虚设层，虚设层的被多个集电极层夹着的方向即第1方向上的宽度比漏极层的第1方向上的宽度窄。

主权项：1.一种半导体装置，具备：第1导电类型的漂移层；所述漂移层的上表面的表层中的第2导电类型的基极层；所述基极层的表层中的第1导电类型的源极层；栅极绝缘膜，与被所述源极层和所述漂移层夹着的所述基极层接触；栅极电极，与所述栅极绝缘膜接触；层间绝缘膜，覆盖所述栅极电极；发射极电极，覆盖所述源极层的上表面及所述层间绝缘膜；所述漂移层的下表面的一部分中的第1导电类型的漏极层；所述漂移层的下表面的一部分中的通过外延生长形成的多个第2导电类型的集电极层；第1导电类型的虚设层，在所述漂移层的下表面的一部分被多个所述集电极层夹着；以及集电极电极，经由第2导电类型的硅化物层与所述集电极层欧姆接触，所述虚设层的被多个所述集电极层夹着的方向即第1方向上的宽度比所述漏极层的所述第1方向上的宽度窄，所述漏极层经由第1导电类型的硅化物层与所述集电极电极欧姆接触，所述虚设层不与所述集电极电极欧姆接触。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三菱电机株式会社 半导体装置以及半导体装置的制造方法

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