申请/专利权人：江苏天科合达半导体有限公司;北京天科合达半导体股份有限公司

申请日：2020-11-19

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN112420490B

主分类号：H01L21/02

分类号：H01L21/02

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2021.03.16#实质审查的生效;2021.02.26#公开

摘要：本发明提供了一种抛光后SiCWafer衬底的湿法清洗工艺，包括以下步骤：将抛光后SiCWafer衬底先进行碱液除脂清洗，再进行表面活性剂的乳化清洗，再进一步清洗，得到清洗后衬底；所述进一步清洗的方式选自超声震荡清洗、弱酸清洗、改进RCA湿法清洗和螯合剂的络合清洗中的一种或多种。该清洗工艺简单，操作无安全隐患；清洗后的Wafer表面洁净程度高，表面粗糙度较小，进一步提高衬底的品质，减少外延片上微颗粒的聚集。使用表面缺陷检测仪测定，≥5μm的颗粒较传统工艺平均降至30个以内片，≥0.13μm颗粒一次去除率达90％以上；通过TXRF测定，离子残留量低至0.1×1010atomscm2。

主权项：1.一种抛光后SiCWafer衬底的湿法清洗工艺，包括以下步骤：将抛光后SiCWafer衬底先进行碱液除脂清洗，再进行表面活性剂的乳化清洗，再进一步清洗，得到清洗后衬底；所述进一步清洗包括螯合剂的络合清洗-弱酸清洗-改进RCA湿法清洗；改进RCA湿法清洗采用的清洗剂包括SCI、SC2和DHF药液，其中，采用的SC1中氨水、双氧水和水的体积比为1:1:10；SC2中盐酸、双氧水和水的体积比为13.6:40.9:95.5；所述DHF中氢氟酸和水的体积比为1:8；或改进RCA湿法清洗采用的清洗剂包括SPM、SC1、SC2和DHF药液，其中，采用的SPM中硫酸和双氧水的体积比为4：1；采用的SC1中氨水、双氧水和水的体积比为1.7:5:8.5；采用的SC2中盐酸、双氧水和水的体积比为1.3:2.5:11.2；采用的DHF中氢氟酸和水的体积比为3:12.6；所述弱酸清洗采用的弱酸选自H2CO3、CH3COOH、HClO和H3PO4中的一种或多种；所述弱酸清洗的温度为5~40℃；所述螯合剂的络合清洗采用的螯合剂选自乙二胺四乙酸、氨基三乙酸、二亚乙基三胺五乙酸中的一种或多种。

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