申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(深圳)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

申请日：2020-03-18

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN113496948B

主分类号：H01L21/8234

分类号：H01L21/8234;H01L27/088

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2021.10.29#实质审查的生效;2021.10.12#公开

摘要：本发明提供了一种半导体器件及其形成方法，该半导体器件的形成方法包括：在第一区、第二区和切割区上形成横跨鳍部的初始栅极结构；在初始栅极结构上形成具有掩模开口的掩膜层，掩模开口还延伸至与切割区相邻的鳍部上；以掩膜层为掩膜刻蚀掩模开口底部的部分初始栅极结构,以形成初始沟槽；在初始沟槽的侧壁形成侧墙；以侧墙和掩膜层为掩膜刻蚀初始沟槽底部的初始栅极结构，以使初始沟槽形成栅极切割沟槽，栅极切割沟槽将初始栅极结构分割为位于栅极切割沟槽两侧的栅极结构。采用上述方案，利用具有掩模开口的掩膜层限制初始沟槽的位置，利用侧墙限制栅极切割沟槽的位置，栅极切割沟槽不会发生位移，对两侧鳍部的应力相等，半导体器件的性能更好。

主权项：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区、第二区和位于所述第一区和所述第二区之间的切割区；在所述半导体衬底的所述第一区和所述第二区上分别形成若干分立的鳍部；在所述第一区、所述第二区和所述切割区上形成横跨所述鳍部的初始栅极结构；在所述初始栅极结构上形成掩膜层,所述掩膜层中具有位于切割区上的掩模开口,且所述掩模开口还延伸至与所述切割区相邻的所述鳍部上；以所述掩膜层为掩膜刻蚀所述掩模开口底部的部分所述初始栅极结构,在所述初始栅极结构中形成初始沟槽，所述初始沟槽的底面暴露出部分所述鳍部的顶面；在所述初始沟槽的侧壁形成侧墙，且所述侧墙位于部分所述鳍部的顶部表面上；以所述侧墙和所述掩膜层为掩膜刻蚀所述初始沟槽底部的所述初始栅极结构，以使所述初始沟槽形成栅极切割沟槽，所述栅极切割沟槽将所述初始栅极结构分割为位于所述栅极切割沟槽两侧的栅极结构。

全文数据：

权利要求：

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