申请/专利权人：佳能株式会社

申请日：2019-11-26

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN111243947B

主分类号：H01L21/18

分类号：H01L21/18;H01L21/67

优先权：["20181129 JP 2018-224275"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2020.12.18#实质审查的生效;2020.06.05#公开

摘要：本公开涉及半导体设备的制造方法及半导体设备。半导体设备的制造方法顺序地包括使用粘合剂将第一芯片和第二芯片接合在一起。第一芯片包括第一电极并具有凸部，并且第二芯片具有凹部。在接合中，第一芯片和第二芯片以使得凸部定位到凹部中的方式接合在一起。此外，该方法包括：在第二芯片中形成通孔以暴露第一电极，第一表面与具有凹部的第二表面相反；以及在通孔中形成电连接至第一电极的第二电极。

主权项：1.一种半导体设备的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：将包括第一电极并且具有凹部的第一芯片与包括硅衬底并且具有凸部的第二芯片接合，其中，所述凹部具有在平面图中与所述第一电极重叠的部分，并且其中，所述凸部定位到所述凹部的在平面图中与所述第一电极重叠的所述部分中；从所述第二芯片的第一表面在所述硅衬底中形成通孔以暴露所述第一电极，所述第一表面与所述第二芯片的具有所述凸部的第二表面相反；以及在所述通孔中形成第二电极，所述第二电极电连接到所述第一电极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 佳能株式会社 半导体设备的制造方法及半导体设备

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