申请/专利权人：爱思开海力士有限公司

申请日：2023-05-19

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117856763A

主分类号：H03H11/28

分类号：H03H11/28;H01L23/64;G01R31/28

优先权：["20221007 KR 10-2022-0129099"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本公开涉及包括片上电阻器的半导体器件和校准片上电阻器的方法。一种半导体器件包括：片上电阻器电路，其包括片上电阻器；校准电路，其被配置成对片上电阻器执行校准操作；以及校准控制电路，其被配置成控制校准电路的校准操作。校准电路包括：电流生成电路，其被配置成向片上电阻器提供校准电流；以及比较电路，其被配置成将通过校准电流和片上电阻器生成的第一输入信号的幅度与通过校准电流和外部电阻器生成的第二输入信号幅度进行比较。

主权项：1.一种半导体器件，包括：片上电阻器电路，其包括片上电阻器；校准电路，其对所述片上电阻器执行校准操作；以及校准控制电路，其控制所述校准电路的校准操作，其中，所述校准电路包括：电流生成电路，其向所述片上电阻器提供校准电流；以及比较电路，其将第一输入信号的幅度与第二输入信号的幅度进行比较，所述第一输入信号是通过所述校准电流和所述片上电阻器生成的，所述第二输入信号是通过所述校准电流和外部电阻器生成的。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 爱思开海力士有限公司 包括片上电阻器的半导体器件和校准片上电阻器的方法

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