申请/专利权人：四川广义微电子股份有限公司

申请日：2024-01-10

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855028A

主分类号：H01L21/02

分类号：H01L21/02;H01L21/67;B08B7/00;B08B3/08

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明公开了一种SiO2干法刻蚀后残留聚合物的消除方法，硅基体在SiO2干法刻蚀且去胶后依次进行等离子处理和湿法处理；等离子处理在干法刻蚀设备中进行，惰性气体作为物理轰击气体，CF4和或O2作为与聚合物发生化学反应的气体，其中，惰性气体、CF4和或O2的体积比为5:1:1，电源功率为300W，湿法处理在湿法槽中进行，清洗药液包括氢氟酸溶液，氢氟酸溶液的浓度为50:1，清洗温度为21℃，清洗时间为3～5min。先采用等离子处理顽固的聚合物，采用湿法除去前一步骤产生的新的聚合物，大大改善了硅基器件的性能，在干法刻蚀制芯片中除去聚合物具有良好的应用前景。

主权项：1.一种SiO2干法刻蚀后残留聚合物的消除方法，其特征在于，硅基体在SiO2干法刻蚀且去胶后依次进行等离子处理和湿法处理；等离子处理在干法刻蚀设备中进行，惰性气体作为物理轰击气体，CF4和或O2作为与聚合物发生化学反应的气体，其中，惰性气体、CF4和或O2的体积比为5:1:1，电源功率为300W，湿法处理在湿法槽中进行，清洗药液包括氢氟酸溶液，氢氟酸溶液的浓度为50:1HF，清洗温度为21℃，清洗时间为3～5min。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 四川广义微电子股份有限公司 一种SiO₂干法刻蚀后残留聚合物的消除方法及其应用

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