申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

申请日：2022-09-30

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855143A

主分类号：H01L21/8234

分类号：H01L21/8234;H01L21/336;H01L27/088;H01L29/78

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：衬底；位于所述衬底上分立的鳍部；位于所述鳍部之间且覆盖所述鳍部部分侧壁的隔离层；位于所述隔离层上且跨过所述鳍部的分立的栅极结构，以及，位于所述栅极结构两侧的鳍部上的源漏掺杂结构；其中，所述栅极结构与所述源漏掺杂结构之间设置有侧墙；覆盖所述源漏掺杂结构的层间介质层；覆盖所述层间介质层和所述栅极结构的衬垫层；其中，所述栅极结构包括导电栅极和栅介质层，所述导电栅极与所述侧墙之间具有侧部空间，所述栅介质层位于所述导电栅极底部和所述侧部空间朝向所述导电栅极底部一侧，所述侧部空间朝向所述衬垫层一侧为空隙。所述方法提高了器件的性能。

主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上分立的鳍部；位于所述鳍部之间且覆盖所述鳍部部分侧壁的隔离层；位于所述隔离层上且跨过所述鳍部的分立的伪栅结构，以及，位于所述伪栅结构两侧的鳍部上的源漏掺杂结构；其中，所述伪栅结构与所述源漏掺杂结构之间形成有侧墙；在所述伪栅结构所占据的空间内形成栅极沟槽，其中，所述栅极沟槽顶部一侧的部分侧壁上形成有侧部阻挡层；在所述栅极沟槽内形成栅极结构，所述栅极结构包括导电栅极、功函数层和栅介质层，所述栅介质层选择性的覆盖在所述侧部阻挡层以下的栅极沟槽内，所述功函数层保形覆盖所述栅极沟槽内的栅介质层和侧部阻挡层，所述导电栅极位于所述功函数层所包围的空间；去除所述栅极沟槽内的侧部阻挡层，在导电栅极与所述侧墙之间的侧部空间的顶部一侧形成空隙；在所述栅极结构顶面形成衬垫层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构及其形成方法

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