申请/专利权人：半导体元件工业有限责任公司

申请日：2019-12-30

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN111526306B

主分类号：H04N25/70

分类号：H04N25/70;H04N25/47

优先权：["20190204 US 62/800,840","20190419 US 16/389,070"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2022.02.11#实质审查的生效;2020.08.11#公开

摘要：本发明题为“具有单光子雪崩二极管像素的半导体器件”。本发明公开了一种半导体器件，所述半导体器件可包括单光子雪崩二极管像素的阵列。所述单光子雪崩二极管SPAD像素可包括经由第一复位路径和第二复位路径耦接到电源电压端子的SPAD。所述第一复位路径可以是为所述SPAD提供短恢复时间的快速复位路径。所述第二复位路径可以是为所述SPAD提供较长恢复时间的较慢复位路径，但是还用于确保即使与所述第一复位路径相关联的淬灭电阻低时所述SPAD也淬灭。逻辑电路可选择性地激活所述第一复位或所述第二复位以淬灭并且复位所述SPAD。所述SPAD像素还可以包括一个或多个开关，所述一个或多个开关在所述SPAD像素未激活时将所述SPAD像素中的节点保持在恒定电压。

主权项：1.一种图像像素，包括：单光子雪崩二极管，所述单光子雪崩二极管耦接在第一电源电压端子和第二电源电压端子之间；第一复位路径，所述第一复位路径将所述单光子雪崩二极管耦接到所述第二电源电压端子；第二复位路径，所述第二复位路径将所述单光子雪崩二极管耦接到所述第二电源电压端子；第一晶体管，所述第一晶体管沿着所述第一复位路径耦接；第二晶体管，所述第二晶体管沿着所述第二复位路径耦接；和逻辑电路，所述逻辑电路被配置为生成用于所述第一晶体管的栅极端子的第一控制信号和用于所述第二晶体管的栅极端子的第二控制信号。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 半导体元件工业有限责任公司 具有单光子雪崩二极管像素的半导体器件

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