申请/专利权人：美光科技公司

申请日：2020-07-01

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN112185912B

主分类号：H01L23/367

分类号：H01L23/367;H01L23/373;H01L21/48;H10B12/00

优先权：["20190703 US 16/503,353"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2021.01.22#实质审查的生效;2021.01.05#公开

摘要：本申请案涉及包含热电路的半导体组合件及其制造方法。本文中揭示包含热层的半导体组合件以及相关联系统及方法。在一些实施例中，所述半导体组合件包括在衬底上方的一或多个半导体装置。所述衬底包含经配置以沿着侧向平面且跨所述衬底转移热能的热层。使用一或多个热连接器沿着非侧向方向将所述热能从所述半导体装置转移到石墨烯层。

主权项：1.一种半导体组合件，其包括：衬底，其具有顶表面且包括位于所述顶表面下方并沿横向平面延伸的石墨烯层，所述石墨烯层经配置以跨所述衬底沿着横向方向转移热能；半导体装置，其在所述衬底的所述顶表面上方；热连接器，其在所述衬底的相对表面与所述半导体装置之间并直接接触所述衬底的相对表面与所述半导体装置，所述热连接器经配置以在所述衬底的所述石墨烯层与所述半导体装置之间转移热能；以及散热器，其在所述衬底的所述顶表面上方且在所述衬底的相对外围边缘之间，所述散热器热耦合到所述石墨烯层以消散来自所述石墨烯层的所述热能。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 美光科技公司 包含热电路的半导体组合件及其制造方法

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