申请/专利权人：西安理工大学

申请日：2020-06-23

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN111881635B

主分类号：G06F30/3308

分类号：G06F30/3308

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.05#授权;2020.11.20#实质审查的生效;2020.11.03#公开

摘要：本发明公开了一种基于Mextram模型RF雪崩效应建模方法，具体包括如下步骤：步骤1，进行SiGeHBT集电区RF雪崩机制分析；步骤2，基于步骤1的分析结果建立具有电感击穿网络的Mextram505.00改进模型；步骤3，对步骤2建立的模型进行验证。本发明建立了考虑RF雪崩效应的电感击穿网络，并嵌入到Mextram505.00模型的B2和C2节点之间，解决了传统Mextram505.00模型输出阻抗匹配不精确的问题。

主权项：1.一种基于Mextram模型RF雪崩效应建模方法，其特征在于：具体包括如下步骤：步骤1，进行SiGeHBT集电区RF雪崩机制分析；所述步骤1的具体过程为：当施加RF信号时，SiGeHBT的BC结中雪崩相位延迟和传输时间延迟会使得RF电流滞后集电极RF电压；RF情况下，当载流子的产生速率与电压不一致时，会导致雪崩相位延迟，雪崩相位延迟发生之后，注入漂移区的载流子将以饱和速度移动，从而引起传输时间延迟，在雪崩相位延迟和传输时间延迟的情况下，采用RF电感击穿网络来表征由两种延迟导致的RF电流滞后集电极RF电压的现象，并嵌入到Mextram505.00的B2和C2节点之间；步骤2，基于步骤1的分析结果建立具有电感击穿网络的Mextram505.00改进模型；所述步骤2的具体过程为：所述电感击穿网络包括电子击穿电感Ljcn、电子击穿电阻Rjcn、空穴击穿电感Ljcp及空穴击穿电阻Rjcp；对于击穿区域，Read方程有： 其中，In为击穿时流过碰撞电离区域的总电子电流，τg是载流子延迟时间，xg为碰撞电离区域的长度，αn是碰撞电离率；发生击穿时流过碰撞电离区域的总电子电流In和总空穴电流Ip分别是Ibdn和Ibdp；碰撞电离区域的导纳Yng为： 其中，E为场强，E＝vgxg，vg为碰撞电离区域的电压，xg为碰撞电离区域的长度：电子击穿电感Ljcn和电子击穿电阻Rjcn为： 式3中，τg为载流子延迟时间,α'n＝A·exp-BE'，A和B均为常数；式4中，M为雪崩倍增因子；xg的计算过程如下公式5所示： 式5中，Aem为碰撞电离区域的面积，e0和esi均为介电常数，cjc为BC结电容；步骤3，对步骤2建立的模型进行验证。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安理工大学 一种基于Mextram模型RF雪崩效应建模方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD