申请/专利权人：湖北三安光电有限公司

申请日：2023-12-25

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878223A

主分类号：H01L33/52

分类号：H01L33/52;H01L33/46

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本申请提供一种高压倒装发光二极管芯片，包括衬底、外延层、接触电极、绝缘反射层、第一保护层和焊盘层，绝缘反射层包括依次堆叠的第一绝缘层、第二绝缘层、第一反射层，第一保护层覆盖至少部分第一反射层的上表面，相比于第一反射层，第一保护层为致密层，使得第一保护层能够有效防止水气在芯片结构中扩散，提高了芯片的抗湿性能力，避免了芯片在高温高湿环境下，发生外观老化异常的问题；本申请还提供一种发光装置，包括上述高压倒装发光二极管芯片。

主权项：1.一种高压倒装发光二极管芯片，其特征在于，包括：外延层，包括依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；接触电极，位于所述外延层的上方，所述接触电极包括与所述第一半导体层电连接的第一接触电极，以及与所述第二半导体层电连接的第二接触电极；绝缘反射层，包括依次堆叠的第一绝缘层、第二绝缘层、第一反射层，所述第一绝缘层覆盖所述外延层以及所述接触电极；第一保护层，位于所述绝缘反射层远离所述接触电极的一侧，所述第一保护层覆盖至少部分所述第一反射层；焊盘层，位于所述第一保护层的上方，所述焊盘层包括相互间隔且绝缘设置的第一焊盘和第二焊盘，所述第一焊盘与所述第一接触电极电连接，所述第二焊盘与所述第二接触电极电连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 湖北三安光电有限公司 一种高压倒装发光二极管芯片及发光装置

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