申请/专利权人:上海谙邦半导体设备有限公司
申请日:2024-03-12
公开(公告)日:2024-04-12
公开(公告)号:CN117877958A
主分类号:H01J37/32
分类号:H01J37/32;H01L21/67;H01L21/687;C23C16/455
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开
摘要:本申请涉及半导体加工技术领域,公开了一种半导体加工设备。该半导体加工设备包括腔体、加热装置和调节结构。腔体包括内腔以及与内腔连通的进气通道,进气通道用于向内腔中通入工艺气体;加热装置包括朝向进气通道、用于承载晶圆的载物台,以及用于加热晶圆的加热单元;调节结构包括环绕载物台设置用于向晶圆周边喷出气体的喷气件,以及可相对于喷气件移动而改变流动至晶圆周边气体量的调节件。本申请提供的半导体加工设备,可以通过调节件相对于喷气件的移动及控制载物台与喷气件之间的距离,从而调节辅助气体进入晶圆周边附近的多少和比例,增大了调节能力,保证了晶圆上薄膜沉积的均匀性。
主权项:1.一种半导体加工设备,其特征在于,包括:腔体,包括内腔以及与所述内腔连通的进气通道,所述进气通道用于向所述内腔中通入工艺气体;加热装置,包括朝向所述进气通道、用于承载晶圆的载物台,以及用于加热晶圆的加热单元;调节结构,包括环绕所述载物台设置用于向所述晶圆周边喷出气体的喷气件,以及可相对于喷气件移动而改变流动至晶圆周边气体量的调节件;所述调节件包括环绕所述载物台并与所述加热装置固定的挡板,以及与所述加热装置连接的升降组件,所述挡板位于所述喷气件的气体吹出路径上,所述升降组件用于控制所述挡板与所述加热装置一体升降。
全文数据:
权利要求:
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