申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2023-10-10

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117881193A

主分类号：H10B51/30

分类号：H10B51/30;H10B51/20;H10B51/50;H10B51/40;H10B80/00

优先权：["20221011 KR 10-2022-0129814","20230323 KR 10-2023-0037936"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.12#公开

摘要：一种半导体存储器件包括：单元基板；顺序地堆叠在所述单元基板上并且在第一方向上延伸的多个栅电极；在不同于所述第一方向的第二方向上延伸并且穿透所述多个栅电极的第一沟道结构和第二沟道结构；以及设置在所述多个栅电极上的位线。所述第一沟道结构和所述第二沟道结构均包括顺序地设置在所述多个栅电极的侧壁上的铁电层、沟道层、栅极绝缘层和背栅电极。所述第一沟道结构和所述第二沟道结构在所述第一方向上彼此相邻并且共享位线。

主权项：1.一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：单元基板，所述单元基板包括彼此相对设置的第一侧和第二侧；多个栅电极，所述多个栅电极顺序地堆叠在所述单元基板的所述第一侧并且在第一方向上延伸；第一沟道结构和第二沟道结构，所述第一沟道结构和所述第二沟道结构在不同于所述第一方向的第二方向上延伸、穿过所述多个栅电极、并且彼此相邻地设置；第一接触，所述第一接触设置在所述第一沟道结构上；第一金属线，所述第一金属线设置在所述第一接触上；第二接触，所述第二接触不同于所述第一接触并且设置在所述第二沟道结构上；以及第二金属线，所述第二金属线不同于所述第一金属线并且设置在所述第二接触上，其中，所述第一沟道结构和所述第二沟道结构均包括：背栅电极，所述背栅电极在所述第二方向上延伸；栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置在所述背栅电极的侧壁上；沟道层，所述沟道层设置在所述栅极绝缘层的外壁上；和铁电层，所述铁电层设置在所述沟道层的外壁上，其中，所述第一接触电连接到所述第一沟道结构的所述背栅电极，并且所述第二接触电连接到所述第二沟道结构的所述背栅电极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 半导体存储器件及包括其的电子系统

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD