申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2022-09-30

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117881177A

主分类号：H10B12/00

分类号：H10B12/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供有源区和分别位于所述有源区沿第一方向两侧的第一台阶区域和第二台阶区域；所述第一台阶区域和所述第二台阶区域包括沿所述第一方向间隔排布的多个第一台阶结构，且任意两个所述第一台阶结构在第三方向上的尺寸不同；沿第二方向对所述多个第一台阶结构进行多次刻蚀，于每一所述第一台阶结构中形成沿所述第三方向依次堆叠的多个第二台阶结构；沿所述第三方向从下至上，所述第一台阶结构中的所述第二台阶结构在所述第一方向上的尺寸依次减小；所述第一方向与所述第二方向相交，且平行于所述有源区所在平面，所述第三方向垂直于所述有源区所在的平面。

主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，所述方法包括：提供有源区和分别位于所述有源区沿第一方向两侧的第一台阶区域和第二台阶区域；所述第一台阶区域和所述第二台阶区域包括沿所述第一方向间隔排布的多个第一台阶结构，且任意两个所述第一台阶结构在第三方向上的尺寸不同；沿第二方向对所述多个第一台阶结构进行多次刻蚀，于每一所述第一台阶结构中形成沿所述第三方向依次堆叠的多个第二台阶结构；沿所述第三方向从下至上，所述第一台阶结构中的所述第二台阶结构在所述第一方向上的尺寸依次减小；所述第一方向与所述第二方向相交，且平行于所述有源区所在平面，所述第三方向垂直于所述有源区所在的平面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构及其形成方法

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