申请/专利权人：南亚科技股份有限公司

申请日：2023-05-19

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117881180A

主分类号：H10B12/00

分类号：H10B12/00

优先权：["20221011 US 17/963,462"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本申请提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底、一字元线、一第一电容器、一第二电容器、一第一位元线以及一第二位元线。该字元线设置于该基底上并沿一第一方向延伸。该第一电容器沿不同于该第一方向的一第二方向延伸，并位于一第一层。该第二电容器沿该第二方向延伸，并位于与该第一层不同的一第二层。该第一位元线电性连接到该第一电容器及该字元线。该第二位元线电性连接到该第二电容器及该字元线。

主权项：1.一种半导体元件，包括：一基底；一字元线，设置于该基底上并沿一第一方向延伸；一第一电容器，沿与该第一方向不同的一第二方向延伸，并位于一第一层；一第二电容器，沿该第二方向延伸并位于与该第一层不同的一第二层；一第一位元线，电性连接到该第一电容器及该字元线；以及一第二位元线，电性连接到该第二电容器及该字元线。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南亚科技股份有限公司 半导体元件及其制备方法

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