申请/专利权人：索尼半导体解决方案公司

申请日：2022-08-19

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117882192A

主分类号：H01L27/146

分类号：H01L27/146;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/522

优先权：["20211008 JP 2021-165853"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.12#公开

摘要：本发明减少了在基板中形成过孔期间干法蚀刻的影响。第一基底基板通过将第一半导体基板和第二半导体基板层叠而形成。在第一半导体基板上形成有用于执行光电转换的像素区域。在第二半导体基板上形成有对从所述像素区域输出的像素信号执行处理的逻辑电路。所述第一基底基板包括第一过孔，其穿过所述逻辑电路的布线层到达所述第一基底基板的背面侧。第二基底基板包括连接部和第二过孔。所述连接部在所述第二基底基板的表面上连接到所述第一基底基板的所述第一过孔。其使用导电材料将所述连接部和位于所述第二基底基板的最下表面中的电极彼此电连接。

主权项：1.一种半导体装置，包括：第一基底基板，其通过堆叠第一半导体基板和第二半导体基板而形成，所述第一半导体基板上形成有执行光电转换的像素区域，所述第二半导体基板上形成有逻辑电路，所述逻辑电路对从所述像素区域输出的像素信号进行处理，所述第一基底基板包括第一过孔，所述第一过孔穿过所述逻辑电路的布线层到达所述第一基底基板的背面；和第二基底基板，其包括：连接部，所述连接部在所述第二基底基板的前表面上连接到所述第一基底基板的所述第一过孔；和第二过孔，其使用导电材料将所述连接部和位于所述第二基底基板的最下表面中的电极彼此电连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 索尼半导体解决方案公司 半导体装置和半导体装置的制造方法

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