申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2023-09-27

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117881188A

主分类号：H10B41/27

分类号：H10B41/27;H10B41/35;H10B41/41;H10B43/27;H10B43/35;H10B43/40

优先权：["20221012 KR 10-2022-0130579","20230307 KR 10-2023-0029843"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.12#公开

摘要：提供了半导体存储器件和包括其的电子系统。所述半导体存储器件包括：基板；模制结构，位于所述基板上；多个沟道结构，在所述模制结构中延伸；源极层和源极牺牲层，位于所述基板与所述模制结构之间，其中，所述源极牺牲层与所述源极层间隔开；以及源极支撑层，位于所述源极层和所述源极牺牲层上，其中，所述源极支撑层位于所述源极层与所述源极牺牲层之间，其中，所述源极支撑层的上表面包括与所述基板平行地延伸的第一部分和第二部分、以及连接所述第一部分和所述第二部分的第三部分，其中，从所述源极层的上表面到所述第一部分的垂直距离小于从所述基板的上表面到所述第二部分的垂直距离。

主权项：1.一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：基板，其中，所述基板包括单元阵列区域、延伸区域以及位于所述单元阵列区域与所述延伸区域之间的边界区域；模制结构，所述模制结构位于所述基板上，其中，所述模制结构包括交替地堆叠的多个栅电极和多个模制绝缘膜，并且其中，所述多个栅电极在所述延伸区域中的截面图中包括台阶剖面；多个沟道结构，其中，所述多个沟道结构在所述单元阵列区域中在所述模制结构中延伸；多个虚设沟道结构，其中，所述多个虚设沟道结构在所述边界区域中在所述模制结构中延伸；多个单元接触，所述多个单元接触在所述延伸区域中电连接到所述多个栅电极；源极层，所述源极层位于所述基板与所述模制结构之间，其中，所述源极层在所述单元阵列区域中电连接到所述多个沟道结构；源极牺牲层，所述源极牺牲层在所述延伸区域中位于所述基板与所述模制结构之间，其中，所述源极牺牲层与所述源极层间隔开；以及源极支撑层，所述源极支撑层位于所述源极层和所述源极牺牲层上，其中，所述源极支撑层位于所述源极层与所述源极牺牲层之间，其中，所述源极支撑层的上表面包括与所述基板的上表面平行地延伸的第一部分、与所述基板的所述上表面平行地延伸的第二部分、以及连接所述第一部分和所述第二部分的第三部分，其中，所述第一部分与所述第二部分间隔开，并且其中，从所述源极层的上表面到所述第一部分的第一垂直距离小于从所述基板的所述上表面到所述第二部分的第二垂直距离。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 半导体存储器件和包括其的电子系统

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