申请/专利权人：无锡尚积半导体科技有限公司

申请日：2023-12-29

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117497461B

主分类号：H01L21/67

分类号：H01L21/67

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2024.02.23#实质审查的生效;2024.02.02#公开

摘要：本申请公开了一种晶圆镀膜前处理装置，包括干燥腔、加热腔和加热装置，加热装置能够加热加热腔和干燥腔；还包括气循环装置、第一吹气装置和第二吹气装置，加热装置还能够加热气循环装置输送的气体，加热过的气体能够通过第一吹气装置吹向晶圆的正面、并能够通过第二吹气装置吹向晶圆的背面；晶圆进入干燥腔后处于高温环境下，热气从两侧吹向晶圆，能够很好地吹扫晶圆、促进晶圆干燥，并能够吹除晶圆表面的杂质、确保晶圆的洁净，晶圆内部的杂气被烘出后，热气还能够吹散杂气、避免杂气重新附着到晶圆上；本申请提供的晶圆镀膜前处理装置集合了高温烘干和热气吹扫，晶圆通过前处理装置实现了高效的干燥和清洁，有利于晶圆后续镀膜。

主权项：1.一种晶圆镀膜前处理装置，其特征在于，包括：干燥腔（1），晶圆能够在所述干燥腔（1）内接受前处理；加热腔（2），设于所述干燥腔（1）一侧；加热装置（110），设于所述加热腔（2）内，能够加热所述加热腔（2）和所述干燥腔（1）；气循环装置（200），连通所述加热腔（2），所述加热装置（110）还能够加热所述气循环装置（200）输送的气体；第一吹气装置（310），连通所述气循环装置（200）、并设于所述干燥腔（1）上方，加热过的气体能够通过所述第一吹气装置（310）吹向所述干燥腔（1）中晶圆的正面；第二吹气装置（320），连通所述气循环装置（200）、并设于所述干燥腔（1）下方，加热过的气体能够通过所述第二吹气装置（320）吹向所述干燥腔（1）中晶圆的背面；其中，所述第二吹气装置（320）包括：限位框（321），设于所述干燥腔（1）的底部；至少两个吹气块（322），所述吹气块（322）滑动设置在所述限位框（321）内，所述吹气块（322）上设有出气孔，所述出气孔连通所述气循环装置（200）和所述干燥腔（1）；驱动组件（323），用于驱使所述吹气块（322）沿竖直方向运动；所述驱动组件（323）驱使所述吹气块（322）上升时，所述吹气块（322）能够探出所述限位框（321），至少两个所述吹气块（322）相互远离、使得所述出气孔的出气方向向外倾斜；所述驱动组件（323）驱使所述吹气块（322）下降时，所述吹气块（322）能够收入所述限位框（321），至少两个所述吹气块（322）相互靠近、使得所述出气孔的出气方向回正。

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