申请/专利权人：株式会社半导体能源研究所

申请日：2014-12-17

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN111446259B

主分类号：H01L27/12

分类号：H01L27/12;H01L29/786;G02F1/1362;G02F1/1368

优先权：["20131227 JP 2013-271783"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2020.08.18#实质审查的生效;2020.07.24#公开

摘要：提供一种包括使用氧化物半导体并通态电流大的晶体管的半导体装置。一种半导体装置，包括：设置在驱动电路部中的第一晶体管；以及设置在像素部中的第二晶体管，其中，第一晶体管的结构和第二晶体管的结构互不相同。此外，第一晶体管及第二晶体管为顶栅结构的晶体管，被用作栅电极、源电极及漏电极的导电膜不重叠。此外，在氧化物半导体膜中，在不与栅电极、源电极及漏电极重叠的区域中具有杂质元素。

主权项：1.一种半导体装置，包括：双栅极晶体管，所述双栅极晶体管包括：第一氧化物半导体膜；所述第一氧化物半导体膜下的第一栅电极；所述第一氧化物半导体膜上的第一绝缘膜；所述第一绝缘膜上的第二栅电极；以及所述第一氧化物半导体膜上的导电膜，所述导电膜电连接到所述第一氧化物半导体膜；单栅极晶体管，所述单栅极晶体管包括：第二氧化物半导体膜；以及所述第二氧化物半导体膜上的栅电极；包括所述第一氧化物半导体膜的电容器；以及所述第二栅电极与所述导电膜上的第二绝缘膜，其中，所述电容器的所述第一氧化物半导体膜具有导电性，以及其中，所述第二绝缘膜与所述第一氧化物半导体膜的顶面和所述第一绝缘膜的顶面接触。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社半导体能源研究所 半导体装置

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD