申请/专利权人：兰州空间技术物理研究所

申请日：2022-12-24

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN116007831B

主分类号：G01L21/00

分类号：G01L21/00;B81C1/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2023.12.08#著录事项变更;2023.05.12#实质审查的生效;2023.04.25#公开

摘要：本申请涉及真空计量技术领域，具体而言，涉及一种复合式MEMS真空规及其制作方法，所示真空规包括MEMS电容薄膜真空规和MEMS皮拉尼真空规，其中：电容薄膜真空规和皮拉尼真空规设置在同一硅基底上；电容薄膜真空规包括真空参考腔和电容间隙，真空参考腔与电容间隙之间的硅基底上设置有感压薄膜，电容间隙内设置有固定电极；皮拉尼真空规包括承载膜、压敏电阻、引出电极以及参考电阻，承载膜设置在硅基底上，下方设置有腔体，压敏电阻设置在承载膜上，引出电极和参考电阻均设置在硅基底上，压敏电阻和参考电阻均与引出电极连接。本申请结合MEMS电容薄膜真空规和MEMS皮拉尼真空规，采用一个传感器就可以同时精确测量待测气体的真空压力和待测气体的种类。

主权项：1.一种复合式MEMS真空规，其特征在于，包括MEMS电容薄膜真空规和MEMS皮拉尼真空规，其中：所述MEMS电容薄膜真空规和所述MEMS皮拉尼真空规设置在同一硅基底上；所述MEMS电容薄膜真空规包括真空参考腔和电容间隙，所述真空参考腔与所述电容间隙之间的硅基底上设置有感压薄膜，所述电容间隙内设置有固定电极；所述MEMS皮拉尼真空规包括承载膜、压敏电阻、引出电极以及参考电阻，所述承载膜设置在硅基底上，下方设置有腔体，所述压敏电阻设置在所述承载膜上，所述引出电极和所述参考电阻均设置在硅基底上，所述压敏电阻和所述参考电阻相互连接，所述压敏电阻和所述参考电阻均与所述引出电极连接；压敏电阻作为敏感电阻，参考电阻用于构成电桥，承载膜用于承载压敏电阻，腔体用于隔绝压敏电阻与硅基底，使压敏电阻只与环境气体接触，引出电极用于引出压敏电阻与参考电阻的电信号，同时用于将电信号通过铝丝键合引出到电路板上，测量时，环境气体直接与压敏电阻接触，通过皮拉尼原理实现气体压力的测量，实现环境气体成分的确定；所述参考电阻上方设置有电阻覆盖玻璃，所述电阻覆盖玻璃与硅基底进行阳极键合。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 兰州空间技术物理研究所 一种复合式MEMS真空规及其制作方法

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