申请/专利权人：芯盟科技有限公司;浙江清华长三角研究院

申请日：2020-04-01

公开（公告）日：2020-07-17

公开（公告）号：CN111430297A

主分类号：H01L21/768(20060101)

分类号：H01L21/768(20060101);H01L21/683(20060101);H01L23/52(20060101);H01L25/16(20060101);H01L25/18(20060101);B81C1/00(20060101);B81B7/00(20060101);B81B7/02(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.10.14#授权;2020.08.11#实质审查的生效;2020.07.17#公开

摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中，方法包括：提供第一基底，所述第一基底包括第一芯片区，所述第一芯片区包括第一区和第二区，所述第一基底具有相对的第一面和第二面；在所述第一区的第一面上形成第一功能单元；在所述第二区的第一面上形成可剥离模块及可剥离膜；提供第二基底，所述第二基底包括第二芯片区，所述第二芯片区内具有第二功能单元；在形成所述可剥离模块之后，将所述第一基底的第一面朝向所述第二基底表面键合；在将所述第一基底的第一面朝向所述第二基底表面键合后，去除所述第一基底以暴露出所述可剥离模块。从而，减少芯片制造时间、降低芯片的制造成本，并且提高芯片良率。

主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供第一基底，所述第一基底包括第一芯片区，所述第一芯片区包括第一区和第二区，所述第一基底具有相对的第一面和第二面；在所述第一区的第一面上形成第一功能单元；在所述第二区的第一面上形成可剥离模块，且所述可剥离模块的侧面以及背向所述第一面的表面，形成包围所述可剥离模块的可剥离膜；提供第二基底，所述第二基底包括第二芯片区，所述第二芯片区内具有第二功能单元；在形成所述可剥离模块之后，将所述第一基底的第一面朝向所述第二基底表面键合，在垂直于所述第一面的方向上，所述第一芯片区与第二芯片区重叠，并且，所述第一功能单元的电路与第二功能单元的电路电互连；在将所述第一基底的第一面朝向所述第二基底表面键合后，去除所述第一基底以暴露出所述可剥离模块。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 芯盟科技有限公司;浙江清华长三角研究院 半导体结构及其形成方法

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