申请/专利权人：古河电气工业株式会社

申请日：2018-07-18

公开（公告）日：2020-10-16

公开（公告）号：CN110546735B

主分类号：H01L21/301(20060101)

分类号：H01L21/301(20060101);C09J7/22(20060101);C09J7/38(20060101)

优先权：["20180328 JP 2018-061064"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.10.16#授权;2019.12.31#实质审查的生效;2019.12.06#公开

摘要：本发明提供能够在短时间充分加热收缩且能够保持切口kerf宽度的半导体加工用带。本发明的半导体加工用带10的特征为具有粘合带15，该粘合带15具有基材膜11及形成于所述基材膜11的至少一面侧的粘合剂层12，对于所述粘合带15而言，MD方向上的利用热机械特性试验机于升温时测定的40℃～80℃之间的每1℃的热变形率的平均值与TD方向上的利用热机械特性试验机于升温时测定的40℃～80℃之间的每1℃的热变形率的平均值之和为负值。

主权项：1.一种半导体加工用带，其特征在于，具有粘合带，该粘合带具有基材膜、及形成于所述基材膜的至少一面侧的粘合剂层，对于所述粘合带而言，MD方向上的利用热机械特性试验机于升温时测定的40℃～80℃之间的每1℃的热变形率的平均值与TD方向上的利用热机械特性试验机于升温时测定的40℃～80℃之间的每1℃的热变形率的平均值之和为负值，所述MD方向为膜成膜时的行进方向，所述TD方向为与所述MD方向垂直的方向，所述半导体加工用带用于包含扩展所述粘合带的扩张工序的半导体的加工。

全文数据：

权利要求：

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