申请/专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司

申请日：2019-04-08

公开（公告）日：2020-10-20

公开（公告）号：CN111799161A

主分类号：H01L21/28(20060101)

分类号：H01L21/28(20060101);H01L21/336(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.08.29#授权;2021.08.06#实质审查的生效;2020.10.20#公开

摘要：本发明公开了一种低压屏蔽栅场效应晶体管制作方法，制作方法包括：S1、在半导体衬底的表面形成硅外延层；S2、在硅外延层的表面形成阻挡层；S3、利用光刻工艺在阻挡层定义出沟槽区域，以阻挡层为掩模在沟槽区域对硅外延层进行刻蚀形成沟槽；S4、在沟槽的侧面和底部表面形成预设厚度的预设场氧；S5、在沟槽中填充第一多晶硅，对第一多晶硅进行刻蚀形成屏蔽栅；S6、采用HARP工艺填充HARP氧化层至沟槽并填充完全；S7、对HARP氧化层进行退火；S8、对HARP氧化层、阻挡层和预设场氧进行研磨；S9、对预设场氧和HARP氧化层进行刻蚀，形成HARP隔离层。本发明的制作方法制作的低压屏蔽栅场效应晶体管的性能高。

主权项：1.一种低压屏蔽栅场效应晶体管制作方法，其特征在于，所述低压屏蔽栅场效应晶体管制作方法的步骤包括：S1、在半导体衬底的表面形成硅外延层；S2、在所述硅外延层的表面形成阻挡层，所述阻挡层包括研磨阻挡层；S3、利用光刻工艺在所述阻挡层定义出沟槽区域，以所述阻挡层为掩模在所述沟槽区域对所述硅外延层进行刻蚀形成沟槽；S4、在所述沟槽的侧面和底部表面形成预设厚度的预设场氧；S5、在所述沟槽中填充第一多晶硅，对所述第一多晶硅进行刻蚀形成屏蔽栅；S6、采用HARP工艺填充HARP氧化层至所述沟槽并填充完全；S7、对所述HARP氧化层进行退火；S8、对沟槽外部的HARP氧化层进行研磨去除，并研磨至所述研磨阻挡层；S9、对所述预设场氧和所述HARP氧化层进行刻蚀，以将所述沟槽顶部的所述预设场氧和所述HARP氧化层去除，保留预设高度的所述预设场氧和所述HARP氧化层，作为HARP隔离层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海先进半导体制造股份有限公司 低压屏蔽栅场效应晶体管制作方法

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