申请/专利权人:厦门半导体工业技术研发有限公司
申请日:2020-07-31
公开(公告)日:2020-12-01
公开(公告)号:CN112018237A
主分类号:H01L45/00(20060101)
分类号:H01L45/00(20060101)
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2021.11.23#授权;2020.12.18#实质审查的生效;2020.12.01#公开
摘要:本发明公开了一种半导体器件及半导体器件的制造方法,该半导体器件包括:半导体衬底;位于所述半导体衬底中的底部电极金属层和位于所述半导体衬底上的顶部电极金属层;位于所述底部电极金属层和顶部电极金属层之间的阻变层,所述阻变层具有可变电阻;位于所述底部电极金属层和顶部电极金属层之间的第一抓氧层,所述第一抓氧层位于所述阻变层之上;位于所述底部电极金属层中的第二抓氧层,所述半导体衬底、所述底部电极金属层和第二抓氧层的上表面平齐,所述阻变层覆盖所述半导体衬底、所述底部电极金属层和所述第二抓氧层。
主权项:1.一种半导体器件,其特征在于,包括:半导体衬底;位于所述半导体衬底中的底部电极金属层和位于所述半导体衬底上的顶部电极金属层;位于所述底部电极金属层和顶部电极金属层之间的阻变层,所述阻变层具有可变电阻;位于所述底部电极金属层和顶部电极金属层之间的第一抓氧层,所述第一抓氧层位于所述阻变层之上;位于所述底部电极金属层中的第二抓氧层,所述半导体衬底、所述底部电极金属层和第二抓氧层的上表面平齐,所述阻变层覆盖所述半导体衬底、所述底部电极金属层和所述第二抓氧层。
全文数据:
权利要求:
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